抄録
p-Si上にSiO_2を形成した場合に生じるバンドの曲がりを利用することにより、低い印加電圧でホットエレクトロンを発光層へ注入することができる。この結果、従来の二重絶縁構造EL素子に比べてより低印加電圧での駆動が期待できる。この原理の応用として、超高精細ELフラットパネルディスプレイの実現を目指して、Si基板上に駆動回路(p-MOSFET)と発光素子を組み合わせた集積型EL素子の作製を行い、その発光特性を調べた。発光層としてZnS : Mnを用いてp-MOSFETを動作させた場合、約15cd/m^2の輝度の変化が得られた。しかし、輝度の完全なON/OFFの制御を実現するためには、p-MOSFETの動作による輝度変化の改善が必要である。
