抄録
青色EL用蛍光体として注目されているCaGa_2S_4 : Ce薄膜の低温プロセスでの作製を目的として多元蒸着法を用いた作製を試みた。蒸発源にCa、Ga_2S_3、CeCl_3を用いて薄膜の作製を行った結果、薄膜の特性は基板温度及びCaとGa_2S_3の基板への供給量の比に強く依存することが分かった。基板温度550℃でCaGa_2S_4相を含む薄膜の作製に成功したが、この薄膜は化学量論組成に比べGa及びSが少ない薄膜であった。基板温度450℃で作製した薄膜をH_2S雰囲気中で700℃または800℃で3時間熱処理することにより、CaGa_2S_4相を含む薄膜の作製に成功し、460nm及び510nm付近にピークを持つPLスペクトルが得られた。
