抄録
多元蒸着法を用いて、青色EL用蛍光体SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製を試みた。蒸発源にはSr金属、Ga_2S_3、CeCl_3を使用した。蒸発源Ga_2S_3は蒸発の際にGaSとS_2に分解してから基板に供給されいることが分かった。作製した薄膜の構造は基板温度、各蒸発源から基板への供給量及び供給比に依存し、SrGa_2S_4以外にもGaS及びSrSが形成される。薄膜堆積後のH_2S雰囲気中での熱処理は、SrGa_2S_4 : Ce薄膜の結晶性及び発光特性の改善に有効であることが分かった。基板温度450℃、供給比Ga_2S_3/Sr=100で薄膜堆積後、H_2S雰囲気中で800℃、3時間の熱処理によりPL強度は約100倍向上し、またCIE色度点(0.12,0.09)の青色PLが得られた。
