2源パルス電子ビーム蒸着法による高効率CaGa_2S_4:Ce薄膜EL素子

抄録

CaS:CeF_3とGa_2S_3二つのターゲットを出発材料に2源パルス電子ビーム蒸着法で薄膜作製することで化学量論的組成の整ったCaGa_2S_4:Ce薄膜が得られると期待し、素子の作製を行った。二つの出発材料に照射する電子ビームの時間を変化させることにより薄膜の組成を制御することに成功し、1kHz正弦波電源を用いて最大輝度160cd/m^2、50Hz、20μsのパルス波電源において最大輝度16cd/m^2の高輝度青色ELが得られた。