高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究

抄録

X線やγ線に対して高い吸収係数を持つCdTeは比較的広いバンドギャップを持ち室温動作可能な高エネルギー放射線検出器の材料として有用である。本研究においては集積型検出器としても応用範囲の広がるパターンドーピングについて検討を行った。リモートプラズマMOCVD法によりCdTe単結晶にn層を堆積し、続いて反対側にマスクを置いた状態でNa_2Teを真空蒸着し、そこにKrFエキシマレーザー(レーザー波長248nm、パルス幅20nS)を照射してp型層を形成させる。パターン状に形成したp型層の抵抗値0.6Ωcm及び、パターンの最小寸法101p/mmのp型接合が得られることがわかった。