入力バッファ型ATMスイッチにおけるセル廃棄過程のシミュレーションによる検討

抄録

ATMスイッチのセル廃棄過程のモデルとして、従来は廃棄連続のみに着目した近似モデルである2状態のギルバードモデルが提案されていた。本稿では、入力バッファ型ATMスイッチに関するセル廃棄過程のシミュレーションを行い、廃棄連続および廃棄間隔の両者を総合的に考慮した一層近似度の高いセル廃棄過程のモデルとして、IPPモデルおよび3状態のフリッチマンモデルが適用可能であることを示した。