磁気トンネル素子を用いた磁気ヘッド

抄録

磁界検出素子として磁気抵抗変化率が33%の磁気トンネル素子を用いたハードディスク用再生ヘッドを試作した。再生ヘッドの水平方向のバイアス磁界を印加する手法として、Cu中間層を介した反強磁性膜と強磁性膜間の長距離交換操作用を用いた。Cu中間層の厚みを変化させることによって、長距離交換相互作用の強さを変化させることが可能であることが判明した。交換相互作用を用いた水平バイアス法を用いたMRヘッドは、7.5Gbits/inch^2のGMRヘッドと同等の再生感度を示すことが判った。