抄録
本論文では、リング型バッファチェインとパルスカウンタを用いたプロセスばらつきモニタを提案し、その理論的解析を行う。提案回路ではリング型バッファチェイン内を伝搬するパルスの幅がリングを構成するバッファの立ち上がりおよび立ち下がり遅延時間に依存して変化する性質を利用し、そのパルスが消失するまでの回転数、およびパルス消失後のバッファ出力の極性をモニタすることでバッファの立ち上がり・立ち下り時間の差を検出できる。本提案回路を通常のリングオシレータによる周波数モニタと合わせで使用することで、バッファの立ち上がり・立ち下がり時間を算出することが可能であり、これによりPMOSとNMOSの性能ばらつきを独立にモニタすることを可能とする。本提案回路の性能評価について65nm CMOSプロセスでのシミュレーション結果を用いて示す。本提案回路はPMOSとNMOSの性能を独立にモニタできることから、NBTIやPBTI等の経年劣化モニタとしても応用できる可能性がある。
