SiCデバイスのインダクタンス負荷におけるスイッチング特性

抄録

インバータに代表されるパワーエレクトロニクス機器は省エネルギー化のキーテクノロジーであり,さらなる高効率化・高周波動作化などの要求から,現在のSiデバイスに変わる次世代パワーデバイスとして,SiC(シリコンカーバイド)デバイスへの期待が高まっている。SiCデバイスを用いることによって高速スイッチングが期待されるが、EMI/EMCが深刻化することが危惧されている。本研究では、SiCデバイスを用いたインバータシステムにおけるEMI/EMCの評価を目標としている。本稿ではSiCインバータを作製する前段階として、SiCデバイスのスイッチング特性を測定した。