重点的サンプリングを用いたSRAM Read_Marginの解析手法

抄録

半導体製造プロセスの微細化に伴いトランジスタの特性ばらつきが増大している。SRAMの読み出しマージンへ与えるばらつきの影響はモンテカルロ解析を用いているが、微細化による単位面積当たりのセル数増加のため、シミュレーション回数と解析時間は指数関数的に増大する問題がある。そこで、本研究では統計学にて用いられる重点的サンプリングを読み出しマージン解析に適用し、シミュレーション回数を削減した。読み出しマージンは±4σの範囲において、0.01%の差で解析回数を32000回から3750回へ1/8に削減し、解析時間の削減を実現した。