AlドープZnO膜の作製条件の検討

抄録

近年、ITOなどをベースとした透明導電性酸化物薄膜の形成と物性に関する研究が非常に活発に行われている。 その目指すところは、高透過率、低抵抗率である。しかし、ITOのドーパントに用いているInは希少金属として近年価格が急騰している。そこで、代替材料の研究が盛んに行なわれており、中でもZnOに注目が集まっている。ZnOは従来、ITOと同等の高い透過率を示しているが、抵抗率に関してはITOよりも高い値を示している。しかしZnOにAlをドープすることで抵抗率の問題は解消できることが報告されている。そこで本研究では、AlをドープしたZnO膜を作製し、その結晶構造と電気的特性を報告する。