抄録
GaAs基板上にエピタキシャル成長させたFe薄膜は半導体と磁性体の複合デバイスの実現が期待できる。Feは、比較的大きな飽和磁化と結晶磁気異方性を有するため高周波デバイスへの応用が期待できる。しかし、Feは高周波帯域における渦電流損の発生が問題視されている。本研究ではMgOを絶縁層とした[Fe(100nm)/MgO(10nm)]n多層膜をRFマグネトロンスパッタ法でエピタキシャル成長させることに成功した。X線回折測定とM-Hヒステリシスのよって結晶学的、磁気的特性を評価した結果、[Fe(100nm)/MgO(10nm)]5多層膜はFe/MgO膜と同様に良好な4回対称磁気異方性を有することが分かった。
