p型GaN上へのZnOナノワイヤの直接成長によるヘテロLED作製

抄録

紫外で発光する高効率LEDを用い、蛍光体で波長変換することで演色性と効率のよい白色発光デバイスが得られる。酸化亜鉛は自然に強いn型半導体として機能し、紫外や青色発光のLEDの発光層として用いられている窒化ガリウムと同等のエネルギーバンドギャップを持ちながら、より安価で資源的に豊富である。また、人体への毒性も低く、環境への負荷も小さい。そのため、ZnOベースの白色発光LEDの実現が期待されている。本研究ではｐ型の窒化ガリウム薄膜上にCVD法を用いてZnOナノワイヤを垂直に堆積することに成功した。これらをpn接合としたLEDを構築し、その電流電圧特性や発光特性を評価した。