FG-MOSトランジスタを用いた４値DRAMの提案

抄録

近年、微細加工技術の限界が近づいており、集積度向上が困難となっている。現在、集積化技術の１つに多値論理回路が注目されている。本研究室では、４値信号を識別するために閾値可変特性を有するFG(Floating Gate)-MOSトランジスタを用いた４値DRAMを提案している。本報告では、回路面積の縮小を目的に、４値識別部分にフローティングゲート共有型FG-MOSインバータを用いた４値DRAMを提案し、書き込み・読み出し動作の確認を実施した。