CCP重畳DCマグネトロンスパッタによるAl添加ZnO薄膜形成

抄録

当研究室では、RF電源に接続されたマグネトロンターゲットに、低域通過フィルタを介してDC電源を接続することで、容量結合プラズマ（CCP）重畳DCマグネトロンスパッタリング装置を開発済である。
今回、本装置を用いて、Al添加ZnO（AZO）透明導電膜の形成に関する予備実験を行なった。動作気圧やDC電力とRF電力の比を変化させた場合の放電特性と成膜特性（成膜速度、膜抵抗率、結晶性、光透過率）の変化について報告する。また、九州大学の板垣氏等によって提案されたバッファ層の形成による導電性の向上に関する報告を元に、その効果の確認実験を開始したので初期的な結果を報告する。