協同的トムソン散乱法を用いたレーザー生成EUV光源プラズマ診断

抄録

半導体集積回路の高集積化は、光リソグラフィ光源の短波長化で実現されてきた。今後更なる高集積化の為に、レーザー生成プラズマ（LPP）方式や放電生成プラズマ（DPP）方式を用いた、波長13.5nmの極端紫外光（EUV）の実用化が期待されているが、発光強度、効率が目標値に達していない。EUVを高効率化するには、プラズマの電子密度・電子温度を制御する必要があるが、これらのEUVプラズマパラメータを診断する方法がないのが現状である。本研究では、レーザー生成EUV光源プラズマにレーザートムソン散乱法を適用し、プラズマの電子密度 （ne）・電子温度 （Te）・平均イオン価数（Z）の計測を確立し、EUV光源実用化へ寄与することを目的としている。