抄録
有機金属気相成長法を用いて，(001)面のGaドープZnTe基板上に四元混晶半導体ZnMgSeTe薄膜を作製した．薄膜と基板の界面を観測すると，直線的となっており比較的良好なZnMgSeTe薄膜が得られていることを確認できた．さらにZnMgSeTeのSe組成制御が可能かどうか検証するために，DESe供給量を変化させた．XRDの結果から，DESe供給量が増加するとZnMgSeTeの(004)回折ピークは高角度へシフトする．DESe供給量3μmol/min付近で成長させると， ZnMgSeTeのピークがZnTeのピークに向かって最も接近した．以上より，ZnMgSeTeは適切なDESe供給量を制御することで，ZnTeと格子整合が可能であることが実証された．
