抄録
純緑色のLED，LDや太陽電池などの光デバイスへ応用が期待されるZnTeと，低消費電力の高速電子デバイスへの応用が期待されるGaAsとの組み合わせにより，受光・発光素子を備えた高速デバイスの実現が期待される．光デバイスへの応用に必要な高品質なZnTe薄膜を得るためにはさらなる研究が必要である．本研究は，有機金属気相成長（MOVPE）法を用いた(111)GaAs基板上へのZnTe薄膜成長のための最適成長条件を見出すことを目的としている．今回，成長前の基板熱処理温度がZnTe薄膜の各種特性に与える効果を調査したので報告する．
