有機金属気相成長法により作製されたZn _1-x Mg _x Se _yTe _1-y層の組成と基板温度の関係

抄録

Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-y4元混晶半導体薄膜が有機金属気相成長法により(001)Gaドープの半絶縁性ZnTe基板の上に作製された。ジメチル亜鉛、ジエチルテルル、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ジエチルセレンが原料として用いられた。Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-yの組成と基板温度の関係がEDXとXRD測定双方から決定された。基板温度が増加するとSe組成(y)が増加するがMg組成(x)が減少することが分かった。これらの振る舞いは、ジエチルセレンの熱分解特性と、ジエチルテルルとビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウムの間の反応による混晶へのMgの取り込みの抑制とに関係すると予想された。