抄録
ZnTe系材料による中間バンド型太陽電池実現のために, そのベースとなるZnTe太陽電池の基盤技術を確立する必要がある. そこで, ZnTeに適したn型窓層材料として, n-ZnS薄膜を用いたn-ZnS/undoped ZnTe/p-ZnTe太陽電池を作製したところ, 窓層材料にn-ZnOを用いた太陽電池と比較して, 開放電圧が大幅に増加することが分かった. 本研究ではさらなる効率改善のために, 同太陽電池のundoped ZnTe層厚依存性と、アニール処理の効果を検証したので, その結果を報告する.
