ラマン分光法を用いたa-Si:H　PIN太陽電池のP、I層およびPI界面の評価

抄録

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)PIN太陽電池の最重要課題である光劣化の原因の1つとして膜中Si-H2結合が指摘されている。通常のSi-H2結合量評価は、FTIRを用いてI層のみ評価が行われてきた。本研究では、ラマン分光法を用いて、従来評価が困難であったPINセルのP層およびPI界面におけるSi-H2結合の評価に成功した結果について報告する。透明導電膜付ガラス基板にボロンドープしたP層を堆積したサンプルおよびP層を堆積した後ノンドープa-Si:H膜を堆積したサンプルのラマン分光結果よりP層およびPI界面に高密度Si-H2結合が存在していることを明らかにした。