マルチホロー放電プラズマCVD法におけるシランガス流速のクラスターに対するラジカル損失への影響

抄録

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)太陽電池の大量生産のために必要なことは、1）製膜速度の増加、2）光劣化の改善　である。一般的に、製膜速度を増加させるような条件では光劣化の原因物質(クラスター)の膜への混入量が増加してしまう。我々はクラスターの膜への混入を抑制するため、マルチホロー放電プラズマCVD法を開発した。本研究では、本法を用いてガス流速および放電電力を適切に設定することで、これら2つの問題を同時に解決し、また、クラスター量がラジカル損失に影響していることを明らかにした。