垂直磁化膜を利用したロジックインメモリのマイクロ波アシストスピン注入に関する研究

抄録

垂直磁化膜は大きな磁気異方性を有しているため、高い周波数での動作が可能であり、将来の磁気デバイス材料として注目を集めている。本研究では、垂直磁化膜を利用した新たなロジックインメモリ機能を持つデバイス構造を提案し、デバイス動作をマイクロマグネティックシミュレーションで計算した。データの書き込み手段としてスピン注入磁化反転をマイクロ波でアシストする方法と提案する。マイクロ波のアシスト効果とスピン注入によるデータの書き込みの信頼性を評価した。