スパッタリング法を用いたα-Al2O3基板上へのZnOナノ結晶育成および結晶性・表面構造の解析

抄録

強誘電体材料を用いたFeRAMは不揮発・低消費電力・高速書き換えという特長を活かして、パソコン等の機器の次世代型主記憶メモリとしての応用が期待されている。実現には、強誘電体・半導体材料の高品質な積層構造が必要となる。本研究では、酸化物半導体として優れた特性をもつZnOを、α-Al2O3の原子平坦基板上へ、改良型のスパッタリング法により2次元ナノ結晶膜の作製を試みた。さらに、XRDやAFMを用いて結晶性や表面構造の解析を行った。結果として、α-Al2O3基板上にエピタキシャル成長しているZnO薄膜が得られた。さらに、α-Al2O3原子平坦基板のステップに沿うようにZnOナノ結晶が2次元配列して成長していることが確認できた。