SiC-MOSFETを用いたチョッパ回路におけるターンオン・ターンオフ時の放射ノイズ特性に関する基礎検討

抄録

近年、SiCやGaNなどを用いたパワー半導体素子が開発されている。しかし、これらの素子のスイッチング動作や、それに伴うノイズ特性は不明である。本論文では、SiC-MOSFETを用いて、チョッパ回路におけるスイッチングサイクルを1から3サイクルまで変化させてスイッチング波形と放射ノイズの測定を行った。放射ノイズ測定では、スイッチング波形を5つの時間領域に分けて放射ノイズのタイミングについて検討を行った。さらに、ターンオン・ターンオフ時に着目しスイッチング動作と放射ノイズの関係の検討を行った。