Co/Ni人工格子垂直磁化膜における核形成磁界および磁壁抗磁力に及ぼすAu下地層の影響

抄録

Co/Ni，Co/Pd等の垂直磁化膜は磁壁移動型デバイスの材料として応用が期待されている．磁壁抗磁力は磁壁移動型デバイスの動作電力や情報安定性に影響する重要な磁気特性であり，保磁力に関してはTa，Pt等における顕著な下地層効果がいくつか報告されている．本研究では，核形成磁界と磁壁抗磁力の関係に注目し，Co/Ni人工格子膜におけるAu下地層厚依存性について磁気ヒステリシス曲線及び交流消磁後の初磁化曲線より核形成磁界，磁壁抗磁力の評価を行った．