ワイドギャップ半導体であるGaNは光デバイス等に広く応用されている.現在の成長方法の主流である有機金属気相成長法や分子線エピキタシー法により高品質なGaNが得られるが,本研究では低コスト低温成長が可能なRFスパッタリング法を用いたGaN薄膜成長に注目した.GaN成長は従来からサファイア基板が主に使われているが切断することが困難な上導電性がないのが欠点である.本研究では応用上の優位性への期待等を背景にGaAs(100)基板を使用する.RFスパッタリング法によりGaAsをターゲットに使用しGaAs(100)基板上にGaN薄膜を作製し評価を行うことを目的に研究を行った.
