PLD法によるTmドープGa2O3薄膜の成長と評価

抄録

希土類元素の殻内遷移を利用した発光は、同一母材から複数の発光色を得ることができる新たな発光素子応用として期待されている。光デバイス化にあたり発光効率が重要な要素となるが、添加する半導体材料のバンドギャップがより大きい程、希土類に起因する発光効率が向上することが報告されている。本研究では新たな母材として、バンドギャップが約4.9 eVと大きく、熱的・化学的安定性に優れ、高い発光効率が期待できるGa₂O₃に着目し、Tmを添加した薄膜をsapphire及びp-GaAs(111)基板上へPLD法を用いて其々の成長条件でエピタキシャル成長を試みた。得られた試料は、X線回折、分光光度計、原子間力顕微鏡、反射高速電子回折等を用いて評価した。