SiC-MOSFETのターンオフサージ電圧の低減方法

抄録

我々はパルスパワー発生回路の初段スイッチングに用いられるSiC-MOSFETのオフ動作の研究を行っている。パルスパワー発生回路におけるオフ動作は電流の立ち上がりのような過渡状態において行う必要性があり、高いサージ電圧が発生する恐れがある。本研究では、サージ電圧を抑制するためスイッチのゲート抵抗を変更し、オフ動作が可能であるか実験を行った。実験の結果ゲート抵抗を変更することでサージ電圧を半分以下に低下することができ、オフ動作が可能であることが示された。