SiC-MOSFETを用いた1石型高電圧コンバータの開発

抄録

近年、パルスパワー発生装置に用いられるスイッチとして、高繰り返しや安定性、寿命の利点に加えて高耐圧化が進んできたディスクリート半導体スイッチが用いられている。これまでその耐圧は1200V程度であるため、我々の研究においてコマンド充電器による充電電圧は1kVまでに限られていた。しかし、近年では3〜10kV級のパワー半導体デバイスの開発が進んでおり、充電電圧を向上できる。充電電圧が上がれば昇圧回路が不要となり、回路要素の簡素化を実現できる。一方で、コマンド充電器内の高耐圧化と絶縁対策が求められる。本実験では、1石型のトポロジーを用いて10kVコマンド充電器の開発を行った。