現在，酸化インジウムスズ（ITO）の代替材料としてZnOを用いたフレキシブルな透明導電膜関する研究が行われている．著者らは， Al doped ZnO（AZO）透明導電膜に着目し成膜を行った．しかし，熱に弱いプラスチック基板を用いるため低温成膜での特性改善には限界がある．そこで，Agを用いた多層型の透明導電膜に注目した．本研究では，特性改善を目的に，AZO/Ag/AZO構造の透明導電膜をPEN基板上に成膜した．Ag成膜時の成膜条件を変化させ，電気的・光学的特性を評価し検討を行った．その結果，Ag層の成膜速度を速くすることによって膜中酸素濃度が減少し，Ag層の透過率の改善を実現できた．現在，さらなる特性改善に向け，検討中である．
