2019年度電気・情報関係学会九州支部連合大会（第72回連合大会）講演論文集
セッションID: 04-1P-06
会議情報
主催: 電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
会議名: 2019年度電気・情報関係学会九州支部連合大会
回次: 72
開催地: 九州工業大学
開催日: 2019/09/27 - 2019/09/28
RFスパッタリング法によるInGaN薄膜成長及び評価
詳細
主催: 電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
会議名: 2019年度電気・情報関係学会九州支部連合大会
回次: 72
開催地: 九州工業大学
開催日: 2019/09/27 - 2019/09/28
Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体であるInGaNは,LEDや太陽電池などの光デバイスの材料として利用されている.また,応用例として,太陽光を用い,水から水素ガスを発生させるための光触媒の作用も報告されており,将来の低炭素化時代に向けて非常に期待されている材料である.しかし,現在主流の製造方法では,高温成長で設備費用も高いという問題点を抱えている.その問題点を解決する方法として,我々が注目したのがRFスパッタリング法である.本研究では,ターゲットにIn,GaNを用い,全体のターゲットの面積とGaNの面積比を変化させることで,InGaNを作製した.組成評価の結果,今回の研究方法でバンドギャップ制御が可能であることを明らかにした.
