様々な磁界方向における超伝導線材中の3次元量子磁束構造のシミュレーション

抄録

第2種超伝導体の臨界電流密度Jcはピンの形状や磁束線とピンの位置関係に大きく依存することが知られている。たとえば酸化物超伝導体においてc軸に沿って重イオン照射をすることによって導入された柱状ピンを考える。この超伝導体のJcは磁束線とピンのなす角度に大きく依存することが実験的に確認されているが、理論的に確認されたケースは少ない。そこで、本研究では3次元の時間依存ギンツブルグ-ランダウ（TDGL）方程式を数値的に解くことで、横磁界下での超伝導体内の磁束線の動きをシミュレーション空間内に再構成し、これを用いて柱状ピンによる磁束線のピン留め効果を系統的に調査した。