誘電泳動集積による両極性カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの電子伝導領域におけるNO₂応答

抄録

カーボンナノチューブ(CNT)は、高い比表面積から、ガスセンサへの応用が期待されている。半導体CNTを用いたセンサを酸化性ガスに暴露すると、コンダクタンスが上昇することが報告されている。我々は、半導体単層CNTを誘電泳動集積法によりチャネル部に集積した両極性電界効果トランジスタを作製し、NO₂暴露によるIDS-VGS特性の変化を調査してきた。NO₂暴露によるIDS-VGS特性として、正孔伝導領域ではゲート電圧正の方向に電流値が推移した。電子伝導領域では電流値が大きく減少した。今回、電子伝導領域でのNO₂暴露によるIDS-VGS特性の変化に着目し、このメカニズムを考察した。