改良ブラインド型スパッタリング法による超平坦Ptナノシート電極膜作製における最適条件の研究

抄録

近年、センサ・通信モジュールといったＩｏＴデバイスが世界中で急速に進む中、強誘電体薄膜を用いた振動力発電機、強誘電体メモリによる独立電源化、低消費電力化が期待されている。本研究では高・低２種類の遮蔽板で基板を覆った改良ブラインド型スパッタリング法により、強誘電体の下地で重要となる超平坦Ｐｔナノシート電極の作製を試みた。ＡＦＭ５ ｍｉｎにおいて高・低２種類の遮蔽板下とも、α－ＡＬ２Ｏ３基板のステップテラス構造のテラス部分がはっきりと維持されている状態でＰｔ粒子が均一に堆積していることが確認された。改良法と条件最適化によりＰｔナノシート電極の広面積化に成功し、基板全面に超平坦Ｐｔナノシートが得られた。