エキシマレーザパルス照射時のSi表面の時間分解温度計測

抄録

レーザアニールやレーザドーピング、レーザ溶接といったレーザ加工技術において、加工品質向上にはレーザビームによる表面温度制御が重要となる。そこで本研究では、SiにKrFエキシマレーザ(波長248 nm、パルス幅 82 ns)を照射した際の表面温度を二色温度法によってナノ秒の時間分解かつ二次元的に測定した。測定には波長750 nm、850 nm(半値幅25 nm)のバンドパスフィルタを使用し、ICCDカメラのゲート幅は20 nsとした。見積もられた温度分布はレーザパルス波形に従った温度変化を示し、フルエンスの増加とともに最大温度が大きくなる傾向が見られた。