反応性スパッタ法によるInGaN薄膜の成長と評価

抄録

InGaNは組成制御により様々なバンドギャプを得ることができるため，タンデム型太陽電池への応用が期待されている。本稿では，反応性スパッタ法を用いてサファイア(0001)基板上に成長させたInGaN薄膜について紹介する。これまでに100℃と低温でのInGaN薄膜の成長に成功し，成長時のターゲットへ印加する高周波(RF)電力を変化させることで組成比やバンドギャップの制御が可能であることを明らかにした。今回新たに結晶性の向上を目的として成長時のターゲットへ印加するRF電力と基板温度を変化させた試料の作製を行った。また，作製した試料についてX線回折法や透過率スペクトルなどの測定などを行い，結晶性や組成比，バンドギャップなどの解析を行った。