深紫外光検出器 (DUV Photodetector)は, 火炎検出器の精度向上や, 宇宙の構成物質理解など多くの用途に応用されることが期待されている.酸化物半導体であるMgGa2O4は, バンドギャップが大きく, 高い耐放射線を持ち, 深紫外線光検出器として注目されている. しかし薄膜作製においては高温での熱処理が必要であり, 回路への集積化を可能にするためには低温成長が求められる. これまでの研究で基板温度200℃での成長に成功したが, 結晶性が悪く光応答が見られなかった. そこで, 反応性を向上させるため, 成長室をプラズマ状態にして薄膜作製を行い, 結晶性や光学特性を評価した.
