カーボンナノチューブ(CNT)はガス分子の吸着により、敏感にコンダクタンスが変化することからガスセンシングへの応用が期待されている。CNT-FETの電極金属-CNT接合、CNT側面のNO2応答は研究されてきたが、CNT-CNT接合のNO2応答は詳細が明らかになっていない。本研究ではCNTの集積量の異なるCNT-FETの100 ppb NO2暴露後のIDS(ソース・ドレイン間電流)-VGS(ゲート・ソース間電圧)特性を測定しNO2応答を調査した。高集積量のデバイスはIDSの最小値が増加した。これはCNT-CNT接合部へのNO2吸着により、全体のコンダクタンスが上昇したことに起因すると考えられる。
