クメンプラズマCVDで堆積したa-C:H製膜特性に対する製膜条件の寄与

抄録

水素化アモルファスカーボン(a-C:H)膜はドライエッチング用ハードマスクとして広く利用されている。プラズマ化学気相堆積(CVD)法によるa-C:H膜製膜において、放電方式、ガス導入、基板バイアスなどの製膜条件は膜特性や製膜速度を決める重要な要因である。本研究では、新規材料であるクメン(C9H12)を用いた、プラズマCVD法によるa-C:H膜の製膜において、製膜特性に対する製膜条件の寄与を検討した。その結果、Arに対するクメンの濃度が低いほど高い製膜速度を期待できることが分かった。また、バイアス電圧印加による入射イオンエネルギーの増加は、製膜特性向上の重要な要因であることを明らかにした。詳細については講演にて説明する。