日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I
好田 慎一北村 友愛下村 浩司ネルソン大鉢 忠
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2002 年 29 巻 2 号 p. 26-

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抄録
An As adsorption layer on the GaAs(100) substrate was indicated by in situ RHEED measurements during MBE growth at high As pressure. A measured decrease of growth rate suggests that Ga evaporates from As overlayer thus decreasing the amount of Ga reaching growth sites on the GaAs substrate surface.
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© 2002 日本結晶成長学会
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