日本結晶成長学会誌
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25pB05 金属/半導体ヘテロエピ界面における混晶化過程の理論計算(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
板谷 哲中山 隆史
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2004 年 31 巻 3 号 p. 136-

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抄録

Atom-mixing processes at metal/semiconductor interfaces are studied for Al/Si and Au/Si systems, by using the first-principles calculations. It is shown that Au atoms can diffuse into Si substrate with a little potential barrier, while Al atoms remain on the Si surface. This difference originates from the difference of electronegativity between Au and Al atoms.

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© 2004 日本結晶成長学会
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