次世代パワーデバイス用SiC基板の研磨技術

精密工学会誌

Online ISSN : 1882-675X
Print ISSN : 0912-0289
ISSN-L : 0912-0289

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次世代パワーデバイス用SiC基板の研磨技術

佐野泰久

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キーワード: silicon carbide, polishing, backside thinning, power device, wide-gap semiconductor

ジャーナルフリー

2018 年 84 巻 3 号 p. 217-220

DOI https://doi.org/10.2493/jjspe.84.217

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