抄録
以上リソグラフィとドライエッチソグについて述べたが,ICの製造工程の中にはSiウエハの精密加工技術,各種の薄膜形成技術,イオン注入技術等の重要技術がある.これらのウエハプロセスはクリーンルームの中で行われる.従来もっとも塵埃を嫌うプロセスではクラス100(0.5μm以上の浮遊粒子が100個/ft3以内)の雰囲気が利用されてきたが,最先端のLSIプロセスでは0.1μm,10個/ft3程度の粒子が問題となっている.クリーンルーム内の発塵の主体は人間である.歩どまり向上のため,ウエハプロセスの自動化が急ピッチで進められている.現在は単体の製造装置とその周辺が自動化されている段階であるが,近い将来,管理システムを含めた総合的な自動化が実施されるであろう.半導体プロセスは物理学,化学,電子工学,機械工学等の境界領域で,各技術の粋を結集して進展してきた.変転きわまりない分野であるが,総合力を発揮しえたものが生き残るであろう.
