イオンビームリソグラフィ

抄録

イオンビームリソグラフィは既存の装置を用いても高いスループットが得られ,しかも高分解能の描画ができることを述べた.すでにデバイスプロセスへの応用も試みられているが,まだ研究段階である.
照射損傷の問題は,プロセスの工夫,適当なアニールによって解決できよう.したがってX線リソグラフィと同様にマスクプロセス,マスクアライメントが問題となる.この技術が開発されれば,0.5μm以下の超微細パターン描画に重要な技術となろう.