1 nm高分解能走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSiデバイスにおける２次元キャリア分布計測及びその課題
2014 年 21 巻 2 号 p. 56-62
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2014 年 21 巻 2 号 p. 56-62
走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)は，Siデバイスにおける２次元キャリア分布を計測する有効な手法である．我々は，高真空下でSSRM計測を行うことにより1 nmの空間分解能を達成した．また1015～1020 cm-3の広いダイナミックレンジでキャリア濃度を計測できることも確認した．高真空下でのSSRMは，将来の新しいデバイスに対してもキャリアの解析に大きな能力を有すると期待される．本報告では，SSRM計測の実験手順を示すと共にCMOSFETへの応用例について紹介し，キャリア濃度の解析における再現性や定量性に影響を与える課題についても議論した．
