表面電子分光法における電子の非弾性平均自由行程（inelastic mean free path, IMFP）を簡便に計算するための手法として，簡易単極近似（simplified single-pole approximation，SSPA）を導入し，その有効性について解説する．SSPAは，従来のPennによる単極近似（single-Pole approximation，SPA）をさらに簡略化した手法である．数式的には分散式における 𝑞² の係数を１つのパラメータとして表現し，それを最適化することで，得られるIMFP値をFPA（full Penn algorithm）から得られるIMFPの値に近づけることが可能である．SSPAに基づいてエネルギー損失関数（energy loss function, ELF）から計算したIMFPは，41元素においてFPAおよびSPAによる結果と比較すると，300 eV～10 keVの範囲において良好な一致を示した．特に，分散式中の係数αを0.4167 とした最適化SSPA では，FPA との平均相対差が3% 以下であり，実用的にも十分利用可能である．また，MathematicaによるSSPA-IMFPの実装方法や分散式の係数の最適化計算の手順についても詳述し，読者が再現可能な計算環境についても解説した．

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六ホウ化ランタン（LaB₆）は低い仕事関数を持ち熱電子源の陰極として利用されているが，仕事関数のさらなる低減と長寿命化が必要とされる．本研究では，LaB₆の表面にグラフェンおよび六方晶窒化ホウ素（hBN）といった二次元（2D）材料をコーティングし，光電子顕微鏡（PEEM），熱電子顕微鏡および放射光XPSにより仕事関数の変化と化学組成を調べた．905℃加熱後のPEEM像では，hBNコーティング領域が最も強い光電子放出を示し，密度汎関数理論計算でも仕事関数の低下が定性的に確認された．一方，グラフェンでは仕事関数が増加した．これは界面での双極子効果によるもので，hBNでは外向き双極子が形成され仕事関数が低下し，グラフェンでは内向き双極子により増加することが明らかになった．

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本稿は，第63回表面分析研究会のテーマ講演「XAFSの分析深さ」の導入として筆者が講演した内容をまとめたものである．前半では，XAFSの基本的な測定手法である透過法，蛍光収量法及び電子収量法の原理と特徴について述べた．特に蛍光収量法で問題となる厚み効果（自己吸収効果）について，簡単な数理モデルを用いて詳しく解説した．後半では，部分蛍光収量法とオージェ電子収量法における分析深さを上記と類似のモデルで見積もり，過去に報告された全電子収量法の分析深さの値をグラフにまとめた．

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筆者らは，放射光や中性子といった量子ビーム施設において各種プローブを使用した表面分析により，コンタクトレンズ表面の化学構造の解明を進めており，新たなレンズ表面設計への応用に期待される知見を得てきた．一方，この研究過程で，各表面分析手法における分析深さを把握する重要性と，分析深さの違いを活かした分析のコンタクトレンズの表面分析における有効性も顕在化した．本稿では，硬X線光電子分光のコンタクトレンズに対する分析深さの検討と，表面敏感な転換電子収量（CEY）法とバルク敏感な部分蛍光収量（PFY）法の２つの測定モードを活用したXAFS測定によるコンタクトレンズの分析を，複数の研究施設にわたって実施した結果について報告する．

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