抄録
磁気ヘッド材料として用いられているFeNi:5 nm/CoFeB:3 nm/FeNi:10 nm多層薄膜の深さ方向組成分布を調べるために，極低角度入射イオンビームを用いたオージェ深さ方向分析によりイオン加速電圧0.5 kVおよび3.0 kVのスパッタ条件で分析を行った．その結果，イオン加速電圧0.5 kVでは多層薄膜の設計通りの構造を反映した対称的なBのオージェデプスプロファイルが得られることがわかった．イオン加速電圧3.0 kVのデプスプロファイルは，イオン加速電圧0.5 kVのそれに比べて深さ分解能は劣るが，多層薄膜の構造を短時間で評価できた．一方，アトムプローブ・トモグラフィーにより同試料を測定した結果，一次元濃度プロファイルは多層薄膜の対称的な構造と異なる非対称なアーティファクト構造が見られることがわかった．
