近年，コンピュータ技術の発達によって大量のデータを統計的に解析して有用な情報を取り出す動き，ビッグデータ解析，が劇的に加速している．材料分野でもここ２～３年ぐらい，盛んに取りざたされるようになった．ただ，この手法は大量のデータが存在してこそ威力を発揮する手法で，材料分野においては，大量の数値データが存在しないという問題点を抱えていると著者は感じている．本稿では，そのままコンピュータに入力できる数値データのデータ量不足を補う手法として，著者が取り組んでいる内容を報告する．

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Atom probe tomography (APT) is a three-dimensional (3D) analysis technique employed in science and engineering, offering information on the chemical compositions and atomic-scale structures of materials. A new technique called laser-assisted APT has been developed, in which a pulsed laser is used as a trigger for field evaporation instead of a pulsed high voltage (HV), allowing analysis of low-conductivity materials. However, in laser-assisted APT, the sample shape changes from the hemisphere to the non-hemisphere during measurement, which degrades the reconstruction accuracy. Here, to clarify the cause of sample deformation and improve the reconstruction accuracy, we studied the relationship between thermal diffusivity and the deformation degree. Our experimental results demonstrate that the sample deformation degree is inversely proportional to the thermal diffusivity, indicating that the sample heating by the irradiated pulsed laser is non-negligible and has a considerable impact on sample deformation in laser-assisted APT.

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磁気ヘッド材料として用いられているFeNi:5 nm/CoFeB:3 nm/FeNi:10 nm多層薄膜の深さ方向組成分布を調べるために，極低角度入射イオンビームを用いたオージェ深さ方向分析によりイオン加速電圧0.5 kVおよび3.0 kVのスパッタ条件で分析を行った．その結果，イオン加速電圧0.5 kVでは多層薄膜の設計通りの構造を反映した対称的なBのオージェデプスプロファイルが得られることがわかった．イオン加速電圧3.0 kVのデプスプロファイルは，イオン加速電圧0.5 kVのそれに比べて深さ分解能は劣るが，多層薄膜の構造を短時間で評価できた．一方，アトムプローブ・トモグラフィーにより同試料を測定した結果，一次元濃度プロファイルは多層薄膜の対称的な構造と異なる非対称なアーティファクト構造が見られることがわかった．

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X線光電子分光法（XPS）および反射電子エネルギー損失分光法（REELS）を用いて，透明導電性酸化物の一つであるインジウム・亜鉛酸化物（In-Zn-O：IZO）の電子状態分析を行った事例を紹介する．成膜時の酸素流量比を変えて作製したキャリア密度が異なるIZO膜について，XPS, REELS分析により電子状態の変化を系統的に捉えることができた．

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