GeO<sub>2</sub>形成時の高圧酸化と１気圧酸化の本質的な違い　 - バルクGeO<sub>2</sub>膜とGeO<sub>2</sub>/Ge界面の独立な制御 -

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18p-P9-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2785

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

GeO₂形成時の高圧酸化と１気圧酸化の本質的な違い　 - バルクGeO₂膜とGeO₂/Ge界面の独立な制御 -

*李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明

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キーワード: 18p-P9-15, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, Germanium, 酸化

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